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Typical Characteristics
10
8
6
I D = -3.0A
V DS = -10V
-30V
-20V
1200
1000
800
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
600
4
400
2
0
200
0
C RSS
C OSS
0
4
8
12
16
0
10
20
30
40
50
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
40
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
10ms
100 μ s
30
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
100ms
1
V GS = -10V
1s
10s
20
R θ JA = 156 C/W
0.1
SINGLE PULSE
o
DC
10
T A = 25 C
o
0.01
0
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
0.1
0.1
R θ JA = 156°C/W
0.01
0.05
0.02
0.01
P(pk)
t 1
t 2
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDC5614P Rev C1 (W)
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